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Typical Characteristics
5
(continued)
1250
4
3
2
I D = -4A
V DS = -5V
-10V
-15V
1000
750
500
C ISS
f = 1 MHz
V GS = 0 V
1
0
250
0
C OSS
C RSS
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate-Charge Characteristics
100
5
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics
SINGLE PULSE
10
R DS(ON) LIMIT
100 μ s
4
R θ JA = 156 o C/W
T A = 25 o C
1ms
10ms
3
1
100ms
1s
V GS = -4.5V
DC
2
R θ JA = 156 C/W
T A = 25 C
0.1
0.01
SINGLE PULSE
o
o
1
0
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
1000
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
1
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
0.5
0.2
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
P(pk)
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 156°C/W
0.05
0.05
t 1
t 2
0.02
0.01
0.005
0.02
0.01
Single Pulse
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
Si3443DV, REV A
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